Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Chkhartishvili L$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 6 Представлено документи з 1 до 6 |
||||
| 1. | Pagava T. A. Oscillatory dependence of electron Hall mobility on the annealing temperature for irradiated silicon = Осциляційна залежність холлівської рухливості електронів від температури відпалу в опроміненому кремнії / T. A. Pagava, L. S. Chkhartishvili // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 10. - С. 1006-1008. - Библиогр.: 5 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Pagava T. A. Influence of the charge state of nonequilibrium vacancies on the formation and annealing kinetics of radiation-induced defects in InD-Si crystals = Вплив зарядового стану нерівноважних вакансій на кінетику утворення та відпалу радіаційних дефектів у кристалах InD-Si / T. A. Pagava, E. R. Kutelia, N. I. Maisuradze, B. G. Eristavi, L. S. Chkhartishvili // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 5. - С. 477-482. - Библиогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Pagava T. A. Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated IBnD-Si crystals / T. A. Pagava, M. G. Beridze, N. I. Maisuradze, L. S. Chkhartishvili, I. G. Kalandadze // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 8. - С. 773-779. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Chkhartishvili L. Estimation of atomic charges in boron nitrides / L. Chkhartishvili, Sh. Dekanosidze, N. Maisuradze, M. Beridze, R. Esiava // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2015. - № 3/5. - С. 50-57. - Бібліогр.: 48 назв. - англ. Для бінарних сполук виведено вираз ефективних зарядів, що залежать від числа молекул в елементарній паралелограмі, площі його перетину поперек зовнішньому полю, модуля Юнга і діелектричної проникності. Для нітридів бору одержано наступні напівемпіричні оцінки: h-BN - 0,35 і 0,09, c-BN - 0,49, і w-BN - 0,76 і 0,50. Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.4 + В376 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Pagava T. Role of boron in formation of secondary radiation defects in silicon / T. Pagava, L. Chkhartishvili, N. Maisuradze, R. Esiava, Sh. Dekanosidze, M. Beridze, N. Mamisashvili // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2015. - № 4/5. - С. 52-58. - Бібліогр.: 43 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Chkhartishvili L. Polyhedral model of carbon nanotubes analytically describing their geometry / L. Chkhartishvili, N. Maisuradze, N. Mamisashvili // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2017. - 9, № 1. - С. 01005-1-01005-6. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. For carbon nanotubes, there is constructed a geometric model of polyhedral type, which allows the expressing their key structural parameters analytically, as functions of C-C bonds length and nanotube indices. In general, explicit formulas are obtained for 1D lattice constant and radius. Cylindrical coordinates of atomic sites and inter-site distances in carbon nanotubes are additionally found for achiral (zigzag and armchair) nanotubes. "Analytic" geometric model will be useful for theoretical determination of groundstate and electronic structure parameters of carbon nanotubular materials, credible analysis of corresponding experimental data, as well as purposeful designing devices based on nanotubular carbon. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського